蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

蔡司雙束電鏡Crossbeam系列結合了高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。無(wú)論是用于多用戶(hù)實(shí)驗平臺，還是科研或工業(yè)實(shí)驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可基于自身需求隨時(shí)升級儀器系統（例如使用LaserFIB進(jìn)行大規模材料加工）。在加工、成像或是實(shí)現三維重構分析時(shí)，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應用效率。

使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力

提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率

在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率

使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

通過(guò)樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統的一項功能）實(shí)現低電壓電子束分辨率提升高達30%。

使用Gemini電子光學(xué)系統，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。

在進(jìn)行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時(shí)，您可以信賴(lài)蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

即使在使用非常低的加速電壓時(shí)也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

借助一系列的探測器實(shí)現樣品的方位表征；使用的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

使用低電壓表征不導電樣品，消除荷電效應的影響。

提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率

得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實(shí)驗快40%以上。

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實(shí)驗進(jìn)程。

使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。

制備TEM樣品時(shí)，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時(shí)，盡可能降低非晶化損傷。

在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來(lái)的優(yōu)勢。

在切割、成像或執行三維分析時(shí)，Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。

使用先進(jìn)的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來(lái)擴展您的Crossbeam性能。

使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過(guò)程中進(jìn)行EDS和EBSD分析。

雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。

在加工過(guò)程中收集連續切片圖像以節省時(shí)間；精確的體素尺寸和自動(dòng)流程保證圖像質(zhì)量。

蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

Crossbeam 350

利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進(jìn)行原位實(shí)驗。通過(guò)Gemini電子光學(xué)系統和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實(shí)現高質(zhì)量成像。

Crossbeam 550

為您進(jìn)行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進(jìn)行快速分析，這無(wú)疑是您的理想之選。

Crossbeam Laser

用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結構的入口以及制備要求苛刻的結構（如原子探針樣品）。

Correlative Cryo Workflow（冷凍關(guān)聯(lián)工作流程）

這種用于在冷凍條件下進(jìn)行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠實(shí)現接近原生狀態(tài)的成像。關(guān)聯(lián)寬場(chǎng)顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時(shí)保持多功能雙束電鏡的靈活性。

技術(shù)參數：

蔡司 Crossbeam 550

Gemini II鏡筒

可選Tandem decel

標準樣品倉有18個(gè)擴展接口或者加大樣品倉有22個(gè)擴展接口

X/Y方向行程：標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm

荷電中和電子槍

局域電荷中和器

Inlens SE 和 Inlens EsB可同時(shí)獲取SE和ESB成像

大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元

注意加大樣品倉可同時(shí)安裝3支壓縮空氣驅動(dòng)的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器

高效的分析和成像，在各種條件下保持高分辨特性，同時(shí)獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像

特點(diǎn)：

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進(jìn)程，并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能。

蔡司Crossbeam產(chǎn)品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor，具有可實(shí)現高通量的高電流以及用于高樣品質(zhì)量的出色低電壓性能。

充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來(lái)提升樣品質(zhì)量。盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結果。

產(chǎn)品具備全面穩定性，確保您獲得精準且可重復的結果。

通過(guò)快速探頭電流交換加速您的FIB應用。

借助高達100 nA的電子束流可進(jìn)行高通量實(shí)驗。

實(shí)現小于3 nm的出色的FIB分辨率。

Crossbeam產(chǎn)品系列配有用于長(cháng)期實(shí)驗的自動(dòng)FIB發(fā)射恢復功能。